Справочник MOSFET. DHS022N06

 

DHS022N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS022N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   trⓘ - Время нарастания: 46.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1822 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS022N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:868K  cn wxdh
 dhs022n06 dhs022n06e.pdf pdf_icon

DHS022N06

DHS022N06/DHS022N06E180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 60VDSSadvanced Splite gate technology design, provided2 DR = 2.3mTo-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withthe RoHS standard.R = 2.0mTo-263DS(on) (TYP)G1I (Silicon limit) = 200AD

 9.1. Size:871K  cn wxdh
 dhs025n06 dhs025n06e.pdf pdf_icon

DHS022N06

DHS025N06/DHS025N06E180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =60VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR =2.5 mTO-220DS(on) (TYP)Gthe RoHS standard.1R =2.2 mTO-263DS(on) (TYP)3 S2 FeaturesI =

 9.2. Size:977K  cn wxdh
 dhs020n88 dhs020n88e dhs020n88i.pdf pdf_icon

DHS022N06

DHS020N88/DHS020N88E/DHS020N88I180A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 85VDSSadvanced splite gate trench technology design, provided2 DR = 1.9mTO-220&TO-262DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withthe RoHS standard.R = 1.6mTO-263DS(on) (TYP)G1I

 9.3. Size:872K  cn wxdh
 dhs021n04b dhs021n04d.pdf pdf_icon

DHS022N06

DHS021N04B&DHS021N04D120A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets usedV = 40VDSSadvanced splite gate trench technology design, provided 2 Dexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR = 2mDS(on) (TYP)the RoHS standard.G1I Silicon limit = 170AD3 S2 FeaturesI Package limit 12

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: DHS020N04F | DHS020N88U | DHS021N04D

 

 
Back to Top

 


 
.