DHD035N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DHD035N04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DHD035N04
DHD035N04 Datasheet (PDF)
dh035n04 dhf035n04 dhi035n04 dhe035n04 dhb035n04 dhd035n04.pdf

DH035N04/DHF035N04/DHI035N04/DHE035N04/DHB035N04/DHD035N04155A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets used advanced2 DV = 40VDSStrench technology design, provided excellent Rdson andlow gate charge. Which accords with the RoHS standard.R = 2.3mDS(on) (TYP)G12 Features I = 155AD3 S Fast switching High
Другие MOSFET... DHB90N045R , DHB9Z24 , DHBSJ11N65 , DHBSJ13N65 , DHBSJ5N65 , DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , DHD015N06 , AO3407 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , DHD3205A , DHD3N90 , DHD50N03 , DHF10H037R , DHF16N06 , DHF3205A .
History: MSF20N50 | FTK2312 | HGN095NE4SL | SFF23N60S2 | FQI3P20TU | QM3001V | SPP08N80C3
History: MSF20N50 | FTK2312 | HGN095NE4SL | SFF23N60S2 | FQI3P20TU | QM3001V | SPP08N80C3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor