DHD3205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DHD3205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 145 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 309 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для DHD3205A
DHD3205A Datasheet (PDF)
dh3205a dhf3205a dhi3205a dhe3205a dhb3205a dhd3205a.pdf

DH3205A/DHF3205A/DHI3205A/DHE3205A/DHB3205A/DHD3205A100A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 6.0mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Features Low on resistanc
Другие MOSFET... DHBSJ13N65 , DHBSJ5N65 , DHBSJ7N65 , DHBZ24B31 , DHD015N06 , DHD035N04 , DHD100N03B13 , DHD16N06 , IRFP064N , DHD3N90 , DHD50N03 , DHF10H037R , DHF16N06 , DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 .
History: IPA029N06N | IPB035N08N3G | TSM40N03PQ56 | AP40P03GP | IXTU01N100D | P9006ESG
History: IPA029N06N | IPB035N08N3G | TSM40N03PQ56 | AP40P03GP | IXTU01N100D | P9006ESG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo