DHF8290 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DHF8290
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 82 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 386 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для DHF8290
DHF8290 Datasheet (PDF)
dh8290 dhf8290 dhi8290 dhe8290 dhb8290 dhd8290.pdf

DH8290/DHF8290/DHI8290/DHE8290/DHB8290/DHD829070A 82V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 82VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 9.5mDS(on) (Type)Gstandard.1I = 70AD3 S2 Features Fast switching Hig
Другие MOSFET... DHD50N03 , DHF10H037R , DHF16N06 , DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 , DHF80N08B22 , IRF640 , DHF85N08 , DHF90N045R , DHF90N055R , DHF9Z24 , DHFSJ11N65 , DHFSJ13N65 , DHFSJ17N65 , DHFSJ5N65 .
History: RTR020P02TL | AP30T10GK-HF | PK6M6DX | PM5Q2EA | LSB60R030HT | PM5C3BA | AP0904GJB
History: RTR020P02TL | AP30T10GK-HF | PK6M6DX | PM5Q2EA | LSB60R030HT | PM5C3BA | AP0904GJB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement