DHF90N055R - описание и поиск аналогов

 

DHF90N055R - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHF90N055R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для DHF90N055R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHF90N055R технические параметры

 ..1. Size:1181K  cn wxdh
 dh90n055r dhf90n055r dhi90n055r dhe90n055r.pdf pdf_icon

DHF90N055R

DH90N055R/DHF90N055R/ DHI90N055R/DHE90N055R 120A 90V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 90V DSS advanced splite gate technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS R = 5.5m DS(on) (TYP) G standard. 1 I = 120A 3 S D 2 Features Fast switching Lo

 7.1. Size:1390K  cn wxdh
 dh90n045r dhf90n045r dhi90n045r dhe90n045r dhb90n045r dhd90n045r.pdf pdf_icon

DHF90N055R

DH90N045R/DHF90N045R/DHI90N045R DHE90N045R/DHB90N045R/DHD90N045R 120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 98V DSS advanced splite gate trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G R = 4.6m DS(on) (TYP) the RoHS standard. 1 3 S I = 120A D 2 Feature

Другие MOSFET... DHF3205A , DHF3N90 , DHF50N06FZC , DHF50N15 , DHF80N08B22 , DHF8290 , DHF85N08 , DHF90N045R , IRF1404 , DHF9Z24 , DHFSJ11N65 , DHFSJ13N65 , DHFSJ17N65 , DHFSJ5N65 , DH060N08 , DH060N08B , DH060N08D .

 

 
Back to Top

 


 
.