Справочник MOSFET. DHI90N045R

 

DHI90N045R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHI90N045R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 98 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 652 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DHI90N045R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI90N045R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1390K  cn wxdh
 dh90n045r dhf90n045r dhi90n045r dhe90n045r dhb90n045r dhd90n045r.pdf pdf_icon

DHI90N045R

DH90N045R/DHF90N045R/DHI90N045RDHE90N045R/DHB90N045R/DHD90N045R120A 98V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 98VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 4.6mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 120AD2 Feature

 7.1. Size:1181K  cn wxdh
 dh90n055r dhf90n055r dhi90n055r dhe90n055r.pdf pdf_icon

DHI90N045R

DH90N055R/DHF90N055R/DHI90N055R/DHE90N055R120A 90V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 90VDSSadvanced splite gate technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 5.5mDS(on) (TYP)Gstandard.1I = 120A3 S D2 Features Fast switching Lo

Другие MOSFET... DH065N04D , DH065N04E , DH065N04F , DH065N04I , DH065N04P , DH065N06 , DH065N06D , DH065N06E , IRF1010E , DHI90N055R , DHI9Z24 , DHISJ11N65 , DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 .

History: FQU9N25TU

 

 
Back to Top

 


 
.