DHP035N04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHP035N04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHP035N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHP035N04 даташит

 ..1. Size:1172K  cn wxdh
 dhp035n04.pdf pdf_icon

DHP035N04

DHP035N04 140A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 40V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 2.3m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 140A D 3 S Fast switching High avalanche Current Low on resistance(Rdson 3

Другие IGBT... DH065N06E, DHI90N045R, DHI90N055R, DHI9Z24, DHISJ11N65, DHISJ13N65, DHISJ17N65, DHIZ24B31, IRFP260, DHP150N03, DHP50P04, DHS008N04P, DHS010N04U, DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B