Справочник MOSFET. DHP035N04

 

DHP035N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHP035N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 121 nC
   trⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для DHP035N04

   - подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHP035N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1172K  cn wxdh
 dhp035n04.pdf pdf_icon

DHP035N04

DHP035N04140A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets used advanced2 DV = 40VDSStrench technology design, provided excellent Rdson andlow gate charge. Which accords with the RoHS standard.R = 2.3mDS(on) (TYP)G12 Features I = 140AD3 S Fast switching High avalanche Current Low on resistance(Rdson3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.