DHS010N04U - описание и поиск аналогов

 

DHS010N04U - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DHS010N04U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3392 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: TOLL

 Аналог (замена) для DHS010N04U

 

DHS010N04U технические параметры

 ..1. Size:1371K  cn wxdh
 dhs010n04u.pdf pdf_icon

DHS010N04U

DHS010N04U 40V/0.8m /300A N-MOSFET Features Key Parameters Low on resistance VDS 40V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 0.8m 100% single pulse avalanche energy test ID Silicon limit 426A 100% VDS test ID Package limit 300A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 9864pF Qgd 26nC Applications Power switching applications

 9.1. Size:871K  cn wxdh
 dhs015n06 dhs015n06e.pdf pdf_icon

DHS010N04U

DHS015N06&DHS015N06E 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power MOSFET V = 60V DS 2 D utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R = 1.8m TO-220 DS(on) (TYP) provides excellent Rdson and low Gate charge at the same time. Which accords with the RoHS standard. G R = 1.6m TO-263 DS(on) (TYP) 1 I

Другие MOSFET... DHISJ11N65 , DHISJ13N65 , DHISJ17N65 , DHIZ24B31 , DHP035N04 , DHP150N03 , DHP50P04 , DHS008N04P , AON7410 , DHS015N06 , DHS015N06E , DHS020N04 , DHS020N04B , DH081N03E , DH081N03F , DH081N03I , DH850N10I .

 

 
Back to Top

 


 
.