DHS010N04U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHS010N04U  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 123 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3392 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHS010N04U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS010N04U даташит

 ..1. Size:1371K  cn wxdh
 dhs010n04u.pdf pdf_icon

DHS010N04U

DHS010N04U 40V/0.8m /300A N-MOSFET Features Key Parameters Low on resistance VDS 40V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 0.8m 100% single pulse avalanche energy test ID Silicon limit 426A 100% VDS test ID Package limit 300A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Ciss@10V 9864pF Qgd 26nC Applications Power switching applications

 9.1. Size:871K  cn wxdh
 dhs015n06 dhs015n06e.pdf pdf_icon

DHS010N04U

DHS015N06&DHS015N06E 180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power MOSFET V = 60V DS 2 D utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R = 1.8m TO-220 DS(on) (TYP) provides excellent Rdson and low Gate charge at the same time. Which accords with the RoHS standard. G R = 1.6m TO-263 DS(on) (TYP) 1 I

Другие IGBT... DHISJ11N65, DHISJ13N65, DHISJ17N65, DHIZ24B31, DHP035N04, DHP150N03, DHP50P04, DHS008N04P, AON7410, DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B, DH081N03E, DH081N03F, DH081N03I, DH850N10I