DH85N08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DH85N08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DH85N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH85N08 даташит

 ..1. Size:903K  cn wxdh
 dh85n08 dhf85n08 dhi85n08 dhe85n08.pdf pdf_icon

DH85N08

DH85N08/DHF85N08/ DHI85N08/DHE85N08 100A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 85V DSS advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS G R = 6.1m DS(on) (TYP) standard. 1 3 S I = 100A D 2 Features Low on resistance Low gate ch

Другие IGBT... DHS015N06, DHS015N06E, DHS020N04, DHS020N04B, DH081N03E, DH081N03F, DH081N03I, DH850N10I, AON7506, DH90N045R, DH90N055R, DH9Z24, DHB035N04, DHB100N03B13, DHB16N06, DHB3205A, DHB3N90