Справочник MOSFET. DH072N07D

 

DH072N07D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DH072N07D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 68 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DH072N07D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DH072N07D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1276K  cn wxdh
 dh072n07 dh072n07f dh072n07i dh072n07e dh072n07b dh072n07d.pdf pdf_icon

DH072N07D

DH072N07/DH072N07F/DH072N07I/DH072N07E/DH072N07B/DH072N07D80A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 68VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 7.2mG DS(on) (Type)standard.1I = 80A3 S D2 Features Fast switchin

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.