DHI035N04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DHI035N04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 155 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DHI035N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI035N04 даташит

 ..1. Size:1614K  cn wxdh
 dh035n04 dhf035n04 dhi035n04 dhe035n04 dhb035n04 dhd035n04.pdf pdf_icon

DHI035N04

DH035N04/DHF035N04/DHI035N04/ DHE035N04/DHB035N04/DHD035N04 155A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These N-channel enhanced vdmosfets used advanced 2 D V = 40V DSS trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. R = 2.3m DS(on) (TYP) G 1 2 Features I = 155A D 3 S Fast switching High

Другие IGBT... DHE10H035R, DHE10H037R, DHE16N06, DHE3205A, DHE3N90, DHFSJ8N65, DHFZ24B31, DHI029N08, IRF730, DHI100N03B13, DHI10H035R, DHI10H037R, DHI16N06, DHI3205A, DHI3N90, DHI50N06FZC, DHI50N15