Справочник MOSFET. DHI10H037R

 

DHI10H037R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHI10H037R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 952 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для DHI10H037R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHI10H037R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1160K  cn wxdh
 dh10h037r dhf10h037r dhi10h037r dhe10h037r.pdf pdf_icon

DHI10H037R

DH10H037R/DHF10H037R/DHI10H037R/DHE10H037R120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power MOSFETS2 DVDS = 100VUsed advanced Splite Gate technology design, providedexcellent RDSON and low gate charge. Which accords withRDS = 3.7m(on) (TYP)Gthe RoHS standard.1ID = 120A3 S2 Features Fast Switching Low

 6.1. Size:1098K  cn wxdh
 dh10h035r dhf10h035r dhi10h035r dhe10h035r.pdf pdf_icon

DHI10H037R

DH10H035R/DHF10H035R/DHI10H035R/DHE10H035R120A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 100VDSSadvanced splite gate technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSR = 3.5mDS(on) (TYP)Gstandard.1I = 120A3 S D2 Features Fast switching

 9.1. Size:1507K  cn wxdh
 dh100n03b13 dhf100n03b13 dhi100n03b13 dhe100n03b13 dhb100n03b13 dhd100n03b13.pdf pdf_icon

DHI10H037R

DH100N03B13/DHF100N03B13/DHI100N03B13/DHE100N03B13/DHB100N03B13/DHD100N03B13100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 30VDSSadvanced trench technology design, provided excellentRdson and low gate charge. Which accords with the RoHSGR = 3.3mDS(on) (TYP)standard.13 SI = 100AD2 Featur

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.