Справочник MOSFET. DHS025N10B

 

DHS025N10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DHS025N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 356 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 352 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 204.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 114 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для DHS025N10B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DHS025N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1171K  cn wxdh
 dhs025n10 dhs025n10e dhs025n10d dhs025n10b.pdf pdf_icon

DHS025N10B

DHS025N10/DHS025N10EDHS025N10D/DHS025N10B240A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =100VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 2.8mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 240AD2 Features Low on resistanc

 5.1. Size:906K  cn wxdh
 dhs025n10u.pdf pdf_icon

DHS025N10B

DHS025N10U180A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFET2 DV =100VDSSutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichprovides excellent Rdson and low Gate charge at the sameGR = 2.2mDS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard. 13 SI =180AD2 Features Low on resistance Low gate

 7.1. Size:871K  cn wxdh
 dhs025n06 dhs025n06e.pdf pdf_icon

DHS025N10B

DHS025N06/DHS025N06E180A 60V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThe N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV =60VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withR =2.5 mTO-220DS(on) (TYP)Gthe RoHS standard.1R =2.2 mTO-263DS(on) (TYP)3 S2 FeaturesI =

 7.2. Size:1358K  cn wxdh
 dhs025n88 dhs025n88f dhs025n88i dhs025n88e dhs025n88d dhs025n88b.pdf pdf_icon

DHS025N10B

DHS025N88/DHS025N88F/DHS025N88IDHS025N88E/DHS025N88D/DHS025N88B205A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 85VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedexcellent Rdson and low gate charge. Which accords withGR = 2.5mDS(on) (TYP)the RoHS standard.13 SI = 205AD2 Feature

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.