Справочник MOSFET. DJD420N70T

 

DJD420N70T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DJD420N70T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для DJD420N70T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DJD420N70T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  cn wxdh
 djd420n70t.pdf pdf_icon

DJD420N70T

DJD420N70T 10.6A 700V N-channel Super Junction Power MOSFET 1 Description This N-channel enhanced vdmosfets, is using advanced super junction technology and design to provide excellent 2 DV = 700V DSSRds(on) with low gate charge. Which accords with the R = 0.34 DS(on) (TYP)RoHS standard. G1I = 10.6A 3 S D2 Features Fast switching Low on resistance

Другие MOSFET... F10N60 , F10N70 , F10N80 , F110N04 , DHZ24B31 , DJC070N60F , DJC070N65M2 , DJD380N65T , IRF530 , DJF380N65T , DJF420N70T , DSB150N10L3 , DSB190N10L3 , DSD040N08N3A , DSD065N04LA , DSD065N10L3A , DSD090N10L3A .

 

 
Back to Top

 


 
.