DSP070N10L3A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSP070N10L3A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 713 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSP070N10L3A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSP070N10L3A даташит

 ..1. Size:1298K  cn wxdh
 dsp070n10l3a.pdf pdf_icon

DSP070N10L3A

DSP070N10L3A 100V/5.2m /95A N-MOSFET Features Key Parameters AEC-Q101 qualified VDS 100V Low on resistance RDS(on)typ. 5.2m Low reverse transfer capacitances ID 95A 100% single pulse avalanche energy test Vth 1.7V 100% VDS test Ciss@10V 2690pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 12nC Applications Motor Control and Drive Charge/Disc

Другие IGBT... DHS045N88, DHS045N88B, DSP018N04LA, DSP032N08NA, DSP037N08N3, DSP038N08NA, DSP051N10N, DSP060N04LA, IRFB4110, DSU007N04NA, DSU011N08N3A, DSU021N10NA, DSU023N10N3, DSU024N10N3A, DSU035N10N3A, DSU035N14N3, DTD080N07N