FQU5N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FQU5N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO251 IPAK
FQU5N40 Datasheet (PDF)
fqu5n40 fqd5n40.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N40 / FQU5N40400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.4A, 400V, RDS(on) = 1.6 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.0 pF)This advanced technology
fqd5n40tf fqd5n40tm fqu5n40tu.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N40 / FQU5N40400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.4A, 400V, RDS(on) = 1.6 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.0 pF)This advanced technology
fqd5n20 fqu5n20.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N20 / FQU5N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology
fqd5n20ltf fqd5n20ltm fqd5n20l fqu5n20l.pdf

October 2008QFETFQD5N20L / FQU5N20L200V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.8 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology is especia
Другие MOSFET... FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 , FQU2N90TUAM002 , FQU3N50C , FQU4N50TUWS , IRF9540 , FDMC7582 , FQU5N60C , FDMQ8403 , FQU5P20 , FQU8P10 , FQU9N25 , HUF75542P3 , HUF75631S3S .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMH65R430ACFP | JMH65R400MPLNFD | JMH65R400MKFD | JMH65R400MFFD | JMH65R360PK | JMH65R360PF | JMH65R360MK | JMH65R360MF | JMH65R360AK | JMH65R360AF | JMH65R290APLN | JMH65R290AF | JMH65R290AEFDQ | JMH65R290AE | JMH65R290ACFP | JMSH1003TTL
Popular searches
bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220