Справочник MOSFET. FQU5N40

 

FQU5N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQU5N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251 IPAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQU5N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:735K  fairchild semi
 fqu5n40 fqd5n40.pdf pdf_icon

FQU5N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N40 / FQU5N40400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.4A, 400V, RDS(on) = 1.6 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.0 pF)This advanced technology

 0.1. Size:730K  fairchild semi
 fqd5n40tf fqd5n40tm fqu5n40tu.pdf pdf_icon

FQU5N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N40 / FQU5N40400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.4A, 400V, RDS(on) = 1.6 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.0 pF)This advanced technology

 9.1. Size:695K  fairchild semi
 fqd5n20 fqu5n20.pdf pdf_icon

FQU5N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD5N20 / FQU5N20200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology

 9.2. Size:618K  fairchild semi
 fqd5n20ltf fqd5n20ltm fqd5n20l fqu5n20l.pdf pdf_icon

FQU5N40

October 2008QFETFQD5N20L / FQU5N20L200V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 3.8A, 200V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.8 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF)This advanced technology is especia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 , FQU2N90TUAM002 , FQU3N50C , FQU4N50TUWS , IRF9540 , FDMC7582 , FQU5N60C , FDMQ8403 , FQU5P20 , FQU8P10 , FQU9N25 , HUF75542P3 , HUF75631S3S .

 

 
Back to Top

 


 
.