DSG059N15NA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DSG059N15NA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для DSG059N15NA
DSG059N15NA Datasheet (PDF)
dsg059n15na.pdf

DSG059N15NA150A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, which 2 DV = 150VDSSprovides excellent Rdson and low Gate charge at the sametime. Which accords with the RoHS standard.GR = 5.0mDS(on) (TYP)13 S2 FeaturesI = 150AD Low on resistance Low ga
dsg053n08n3 dse051n08n3.pdf

DSG053N08N3&DSE051N08N3120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThis N-channel enhancement mode power mosfets used2 DV = 80VDSSadvanced splite gate trench technology design, providedR = 4.8mT0-220DS(on) (TYP)excellent Rdson and low gate charge. Which accords withGthe RoHS standard. R = 4.4mT0-263DS(on) (TYP)13 SI = 120AD2 F
dse054n10n3 dsg054n10n3.pdf

DSE054N10N3&DSG054N10N3 100V/4.6m/140A N-MOSFET Features Key ParametersVDS Low on resistance 100VRDS(on)typ.TO-263 Low reverse transfer capacitances 4.6mRDS(on)typ.TO-220 100% single pulse avalanche energy test 4.8mID 100% VDS test 140A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 3VCiss@10V4912pFQgd 16nCApplications M
dsg052n14n dse050n14n.pdf

DSG052N14N/DSE050N14N180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 Description2 D V =135VDSSThis N-channel enhancement mode power MOSFETutilizes advanced Split Gate Trench technology, whichR =3.7mTO-263DS(on) (TYP)Gprovides excellent Rdson and low Gate charge at the same1R =3.9mTO-220DS(on) (TYP)time. Which accords with the RoHS standard.3 SI
Другие MOSFET... DSG030N10N3 , DSG041N08NA , DSG045N14N , DSG047N08N3 , DSG048N08N3 , DSG052N14N , DSG053N08N3 , DSG054N10N3 , AON7506 , DSG070N10L3 , DSG070N15NA , DSG108N20NA , DSG140N12N3 , DSG270N12N3 , DSN108N20N , DHS025N88E , DHS025N88F .
History: DHS065N85E | FY6ACJ-03A | SIHG47N65E | AP4437GM-HF | FXN7N65F | SSP65R360S2 | IRLML6402PBF-1
History: DHS065N85E | FY6ACJ-03A | SIHG47N65E | AP4437GM-HF | FXN7N65F | SSP65R360S2 | IRLML6402PBF-1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198