DSG270N12N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DSG270N12N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 66 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 81 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 138 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для DSG270N12N3
DSG270N12N3 Datasheet (PDF)
dsg270n12n3 dse270n12n3.pdf

DSG270N12N3&DSE270N12N3120V/25m/36A N-MOSFETFeatures Key Parameters Low on resistance VDS 120V Low reverse transfer capacitances RDS(on)typ. 25m 100% single pulse avalanche energy test ID 36A 100% VDS test Ciss@10V 950pF Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Qgd 3.3nCApplications Power switching applications DC-DC converters Full bri
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHS052N10B | DHS052N10 | DHS051N10P | DHS046N10I | DHS046N10F | DHS046N10E | DHS046N10D | DHS046N10B | DHS046N10 | DHS030N88I | DHS030N88F | DHS030N88E | DHS030N88 | DHS025N88I | DHS025N88F | DHS025N88E
Popular searches
irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement