DSE054N10N3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DSE054N10N3  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 446 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DSE054N10N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DSE054N10N3 даташит

 ..1. Size:1388K  cn wxdh
 dse054n10n3 dsg054n10n3.pdf pdf_icon

DSE054N10N3

DSE054N10N3&DSG054N10N3 100V/4.6m /140A N-MOSFET Features Key Parameters VDS Low on resistance 100V RDS(on)typ. TO-263 Low reverse transfer capacitances 4.6m RDS(on)typ. TO-220 100% single pulse avalanche energy test 4.8m ID 100% VDS test 140A Pb-Free plating / Halogen-Free / RoHS compliant Vth 3V Ciss@10V 4912pF Qgd 16nC Applications M

 9.1. Size:1000K  cn wxdh
 dsg053n08n3 dse051n08n3.pdf pdf_icon

DSE054N10N3

DSG053N08N3&DSE051N08N3 120A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description This N-channel enhancement mode power mosfets used 2 D V = 80V DSS advanced splite gate trench technology design, provided R = 4.8m T0-220 DS(on) (TYP) excellent Rdson and low gate charge. Which accords with G the RoHS standard. R = 4.4m T0-263 DS(on) (TYP) 1 3 S I = 120A D 2 F

 9.2. Size:1036K  cn wxdh
 dsg052n14n dse050n14n.pdf pdf_icon

DSE054N10N3

DSG052N14N/DSE050N14N 180A 135V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description 2 D V =135V DSS This N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes advanced Split Gate Trench technology, which R =3.7m TO-263 DS(on) (TYP) G provides excellent Rdson and low Gate charge at the same 1 R =3.9m TO-220 DS(on) (TYP) time. Which accords with the RoHS standard. 3 S I

 9.3. Size:928K  cn wxdh
 dse058n15na.pdf pdf_icon

DSE054N10N3

DSE058N15NA 150A 150V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description 2 D V =150V DSS These N-channel enhancement mode power MOSFET utilizes advanced Split Gate Trench technology, which G R = 5.0m DS(on) (TYP) provides excellent Rdson and low Gate charge at the same 1 time. Which accords with the RoHS standard. 3 S I = 150A D 2 Features Low on resistance Low gat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DHS052N10B, DSE026N10N3A, DSE026N10NA, DSE028N10N3, DSE043N14N, DSE047N08N3, DSE050N14N, DSE051N08N3, 60N06, DSE058N15NA, DSE065N10L3A, DSE108N20NA, DSE140N12N3, DSE270N12N3, DSG014N04N, DSG019N04L, DSG024N10N3