Справочник MOSFET. F630

 

F630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: F630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для F630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

F630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1604K  cn wxdh
630 f630 i630 e630 b630 d630.pdfpdf_icon

F630

630/F630/I630/E630/B630/D6309A 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET1 DescriptionThese N-channel enhanced vdmosfets, is obtained by the2 DV = 200Vself-aligned planar technology which reduce the conduction DSSloss, improve switching performance and enhance theR = 0.23DS(on) (TYP)Gavalanche energy. Which accords with the RoHS standard.1I = 9A3 S D2 Feature

 0.2. Size:859K  1
irf630b irfs630b.pdfpdf_icon

F630

IRF630B/IRFS630B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 9.0A, 200V, RDS(on) = 0.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 22 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchin

 0.3. Size:176K  international rectifier
irf630.pdfpdf_icon

F630

Другие MOSFET... DSE022N10N3 , F4N60 , F4N65 , F4N70 , F50N06 , F50N20 , F5N65C , F5N80 , 2SK3878 , F640 , F6N90 , F740 , F7N60 , F7N70 , F7N80 , F80N06 , F8N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.