I20N50 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: I20N50 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 277 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO262
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для I20N50
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
I20N50 даташит
20n50 f20n50 i20n50 e20n50.pdf
20N50/F20N50/ I20N50/E20N50 20A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 1 Description These silicon N-channel enhanced vdmosfets, is obtained 2 D V = 500V DSS by the self-aligned planar technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and R = 0.24 DS(on) (TYP) G enhance the avalanche energy. Which accords with the 1 RoHS standard. I = 20A 3 S D
fmi20n50es.pdf
FMI20N50ES FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3S series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack (L) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (4.2 0.
fmi20n50e.pdf
FMI20N50E FUJI POWER MOSFET Super FAP-E3 series N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Maintains both low power loss and low noise T-Pack(L) Lower R (on) characteristic DS More controllable switching dv/dt by gate resistance Drain(D) Smaller V ringing waveform during switching GS Narrow band of the gate threshold voltage (3.0 0.5V)
Другие IGBT... F7N80, F80N06, F8N50, F8N60, F8N65, FD120N10ZR, FN6005, I110N04, 13N50, I25N10, I50N06, I630, I640, I740, I80N06, ID120N10ZR, IN6005
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BC3134KT | BC3134K | BC2302W | BC2302T-2.8A | BC2302-2.8A | BC2301W | BC2301T-2.8A | CB3139KTB | CB2301DW | BC8205 | BC3415 | BC3407 | BC3401 | BC3400 | BC2301 | BC1012W
Popular searches
bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318 | 2n3055 transistor equivalent



