Справочник MOSFET. JMSL0315AP

 

JMSL0315AP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0315AP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 363 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для JMSL0315AP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0315AP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  jiejie micro
 jmsl0315ap.pdf pdf_icon

JMSL0315AP

JMSL0315AP30V 8.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 14 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.2 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)11.4 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Mgmt

 0.1. Size:307K  jiejie micro
 jmsl0315apd.pdf pdf_icon

JMSL0315AP

JMSL0315APD30V 9.5m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 12.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 9.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Mot

 5.1. Size:276K  jiejie micro
 jmsl0315av.pdf pdf_icon

JMSL0315AP

JMSL0315AV30V 7.2m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 22 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Manage

 5.2. Size:303K  jiejie micro
 jmsl0315au.pdf pdf_icon

JMSL0315AP

JMSL0315AU30V 7.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 43 A Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.6 mApplications Power Mgmt. in Computing, C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IN6005 , N6005 , N6005B , N6005D , FBM80N70P , FBM80N70B , FBM85N80P , FBM85N80B , 20N50 , JMSL0315APD , JMSL0315ARD , JMSL0315AU , JMSL0315AUD , JMSL0315AV , JMSL0401AG , JMSL0401AGQ , JMSL0401BG .

History: STT03L06 | HUF76645S3S

 

 
Back to Top

 


 
.