HUFA75321D3S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HUFA75321D3S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
Аналог (замена) для HUFA75321D3S
HUFA75321D3S Datasheet (PDF)
hufa75321d3 hufa75321d3s.pdf

HUFA75321D3, HUFA75321D3SData Sheet December 200120A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves
hufa75321d3 hufa75321d3st.pdf

HUFA75321D3, HUFA75321D3SData Sheet December 200120A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 20A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves
hufa75321p3 hufa75321s3s hufa75321s3st.pdf

HUFA75321P3, HUFA75321S3SData Sheet December 200135A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 35A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Simulation Modelsare manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves t
hufa75329p3 hufa75329s3s.pdf

HUFA75329G3, HUFA75329P3, HUFA75329S3SData Sheet June 200249A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET FeaturesPower MOSFETs 49A, 55VThese N-Channel power MOSFETs Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.024are manufactured using the Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Modelsadvanced process technology - Available on th
Другие MOSFET... HUF75542P3 , HUF75631S3S , FDB86135 , HUF75639S3 , FDD86252 , HUF75842P3 , HUF75852G3 , HUFA75307T3ST , SPP20N60C3 , HUFA75344S3 , HUFA75639S3S , FDD86110 , HUFA76407DK8TF085 , HUFA76409D3ST , HUFA76413DK8TF085 , HUFA76419D3S , HUFA76429D3 .
History: HUF75852G3 | RU80N15S
History: HUF75852G3 | RU80N15S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p