JMSH0602PE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH0602PE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 218 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JMSH0602PE
JMSH0602PE Datasheet (PDF)
jmsh0602pe.pdf

60V, 218A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0602PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 218 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementTO-263 -3LSc
jmsh0602pk.pdf

60V, 112A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0602PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 112 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manag
jmsh0602pg.pdf

JMSH0602PG60V 1.6m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 200 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.6 mWApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in
jmsh0602pc.pdf

60V, 178A, 2.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0602PCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 178 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manag
Другие MOSFET... JMSH0602AC , JMSH0602AE , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , JMSH0602AGQ , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , IRFZ24N , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P .
History: AONR32318 | STW11NB80 | STW13N80K5 | AP2R803GJB | SMIRF16N65T1TL | IAUC100N04S6N022 | 3060K
History: AONR32318 | STW11NB80 | STW13N80K5 | AP2R803GJB | SMIRF16N65T1TL | IAUC100N04S6N022 | 3060K



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264