JMSH0602PE. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: JMSH0602PE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 218 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2330 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JMSH0602PE
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH0602PE даташит
jmsh0602pe.pdf
60V, 218A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0602PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 218 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263 -3L Sc
jmsh0602pk.pdf
60V, 112A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0602PK Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 112 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manag
jmsh0602pg.pdf
JMSH0602PG 60V 1.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 200 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.6 mW Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in
jmsh0602pc.pdf
60V, 178A, 2.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0602PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 178 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manag
Другие MOSFET... JMSH0602AC , JMSH0602AE , JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , JMSH0602AGQ , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , STF13NM60N , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P .
History: NCE60R360 | SK2307A | 15N05 | AP3P6R0S
History: NCE60R360 | SK2307A | 15N05 | AP3P6R0S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264





