Справочник MOSFET. JMSH0602PGQ

 

JMSH0602PGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0602PGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 179 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0602PGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0602PGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1193K  jiejie micro
 jmsh0602pgq.pdf pdf_icon

JMSH0602PGQ

60V, 179A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0602PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.0 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 179 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicat

 4.1. Size:644K  jiejie micro
 jmsh0602pg.pdf pdf_icon

JMSH0602PGQ

JMSH0602PG60V 1.6m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 200 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.6 mWApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in

 5.1. Size:1293K  jiejie micro
 jmsh0602pk.pdf pdf_icon

JMSH0602PGQ

60V, 112A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0602PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 112 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manag

 5.2. Size:1343K  jiejie micro
 jmsh0602pe.pdf pdf_icon

JMSH0602PGQ

60V, 218A, 1.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0602PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 218 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementTO-263 -3LSc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0602AEQ , JMSH0602AG , JMSH0602AGQ , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , JMSH0602PE , JMSH0602PG , IRF830 , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T .

History: JMSH0606PG

 

 
Back to Top

 


 
.