JBE102G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JBE102G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 206 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1318 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JBE102G
JBE102G Datasheet (PDF)
jbe102g.pdf

JBE102G100V 2.3mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr
jbe102y.pdf

JBE102Y100V 3.1mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.1 mW Pb-free Lead Plating
jbe102t.pdf

JBE102T100V 2.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 100% UIS Tested, 100% RgTested ID (@ VGS = 10V) (1) 240 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.2 mW
jbe103t.pdf

JBE103T100V 3.0mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 184 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3 Pb-free Lead Plating mW
Другие MOSFET... JMSH0602AGQ , JMSH0602AK , JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , JMSH0602PE , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , AO3401 , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M .
History: MSK4N80T | SKI03063 | GSM2304 | LND10R180 | NVGS4141N
History: MSK4N80T | SKI03063 | GSM2304 | LND10R180 | NVGS4141N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
a1013 transistor | 2sc2705 | bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet