JBE102Y. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: JBE102Y
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 183 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1067 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JBE102Y
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JBE102Y даташит
jbe102y.pdf
JBE102Y 100V 3.1mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.1 mW Pb-free Lead Plating
jbe102g.pdf
JBE102G 100V 2.3mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr
jbe102t.pdf
JBE102T 100V 2.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 100% UIS Tested, 100% RgTested ID (@ VGS = 10V) (1) 240 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.2 mW
jbe103t.pdf
JBE103T 100V 3.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 184 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3 Pb-free Lead Plating mW
Другие MOSFET... JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , JMSH0602PE , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , AO3400A , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD .
History: FQP20N60 | RUF020N02 | SWD4N50K | AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R | SWD80N04V | HM4354
History: FQP20N60 | RUF020N02 | SWD4N50K | AOWF10N60 | 4N60L-TN3-R | SWD80N04V | HM4354
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bc239 | 2sc3264 | mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31




