Справочник MOSFET. JBE102Y

 

JBE102Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JBE102Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 183 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1067 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JBE102Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBE102Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1023K  jiejie micro
jbe102y.pdfpdf_icon

JBE102Y

JBE102Y100V 3.1mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.1 mW Pb-free Lead Plating

 8.1. Size:1021K  jiejie micro
jbe102g.pdfpdf_icon

JBE102Y

JBE102G100V 2.3mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th) 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 206 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robotics Curr

 8.2. Size:517K  jiejie micro
jbe102t.pdfpdf_icon

JBE102Y

JBE102T100V 2.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested 100% UIS Tested, 100% RgTested ID (@ VGS = 10V) (1) 240 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.2 mW

 9.1. Size:614K  jiejie micro
jbe103t.pdfpdf_icon

JBE102Y

JBE103T100V 3.0mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 184 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3 Pb-free Lead Plating mW

Другие MOSFET... JMSH0602AKQ , JMSH0602PC , JMSH0602PE , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , RU6888R , JBE103T , JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD .

History: H5N2519P | IRLML6402PBF-1 | JBE103T | JBE112Q

 

 
Back to Top

 


 
.