Справочник MOSFET. JBE111P

 

JBE111P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JBE111P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 437 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 294 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JBE111P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JBE111P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1340K  jiejie micro
jbe111p.pdfpdf_icon

JBE111P

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFETJBE111PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 294 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-26

 9.1. Size:1231K  jiejie micro
jbe112t.pdfpdf_icon

JBE111P

110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFETJBE112TProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 199 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage

 9.2. Size:1343K  jiejie micro
jbe112q.pdfpdf_icon

JBE111P

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFETJBE112QProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 220 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-26

 9.3. Size:1242K  jiejie micro
jbe113p.pdfpdf_icon

JBE111P

100V, 175A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFETJBE113PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 175 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSchem

Другие MOSFET... JMSH0602PE , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , IRFZ48N , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG .

History: FQU20N06L | JMSL0603PG

 

 
Back to Top

 


 
.