JBE111P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JBE111P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 437 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 294 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1590 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JBE111P
JBE111P Datasheet (PDF)
jbe111p.pdf

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFETJBE111PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 294 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-26
jbe112t.pdf

110V, 199A, 2.3m N-channel Power SGT MOSFETJBE112TProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 110 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 199 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage
jbe112q.pdf

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFETJBE112QProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 110 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 220 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-26
jbe113p.pdf

100V, 175A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFETJBE113PProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 175 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSchem
Другие MOSFET... JMSH0602PE , JMSH0602PG , JMSH0602PGQ , JMSH0602PK , JBE102G , JBE102T , JBE102Y , JBE103T , IRFZ48N , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG .
History: FQU20N06L | JMSL0603PG
History: FQU20N06L | JMSL0603PG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0604AGQ | JMSL0604AG | JMSL0603PG | JMSL0603BGQ | JMSL0603BG | JMSL0603AK | JMSL0602PG | JMSL0602MG | JMSL0602AGQ | JMSL0602AG | JMSL0601TG | JMSL0601BGQ | JMSL0601BG | JMSL0601AGQ | JMSL0601AG | JMTP330N06D
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079