JMSH0606AG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: JMSH0606AG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 98 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSH0606AG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH0606AG даташит
jmsh0606ag.pdf
JMSH0606AG 60V 3.7m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 98 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.7 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom
jmsh0606agq.pdf
JMSH0606AGQ 60V 3.7m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.7 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-
jmsh0606ak.pdf
JMSH0606AK 60V 4.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 4.4 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Autom
jmsh0606akq.pdf
JMSH0606AKQ 60V 4.4m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 95 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.4 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-252-3L T
Другие MOSFET... JBE111P , JBE112Q , JBE112T , JBE113P , JBL083M , JBL101N , JMSH0605AGD , JMSH0605AGDQ , IRFB7545 , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU , JMSH0606PC , JMSH0606PG , JMSH0606PGD , JMSH0606PGDQ .
History: H10N65P | MEE4298T | HY3410MF | S2N7002K | WMQ37N03T1 | ME9435 | AOTF9N90
History: H10N65P | MEE4298T | HY3410MF | S2N7002K | WMQ37N03T1 | ME9435 | AOTF9N90
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor





