Справочник MOSFET. JMSH0606PGD

 

JMSH0606PGD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0606PGD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1079 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMSH0606PGD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0606PGD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1179K  jiejie micro
jmsh0606pgd.pdfpdf_icon

JMSH0606PGD

60V, 88A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 88 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L

 0.1. Size:1176K  jiejie micro
jmsh0606pgdq.pdfpdf_icon

JMSH0606PGD

60V, 61A, 4.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.7 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 61 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 4.1. Size:1201K  jiejie micro
jmsh0606pgq.pdfpdf_icon

JMSH0606PGD

60V, 118A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 60 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 118 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicatio

 4.2. Size:1190K  jiejie micro
jmsh0606pg.pdfpdf_icon

JMSH0606PGD

60V, 114A, 4.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0606PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 60 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 114 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

Другие MOSFET... JMSH0605AGDQ , JMSH0606AG , JMSH0606AGQ , JMSH0606AK , JMSH0606AKQ , JMSH0606AU , JMSH0606PC , JMSH0606PG , AO3407 , JMSH0606PGDQ , JMSH0606PGQ , JMSH0606PK , JMSH0606PU , JMSH1008AC , JMSH1008AE , JMSH1008AG , JMSH1008AGQ .

History: STE16N100 | CSD18501Q5A | BRB80N08

 

 
Back to Top

 


 
.