Справочник MOSFET. JMSH1008PGQ

 

JMSH1008PGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1008PGQ
   Маркировка: SH1008PQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 426 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0096 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH1008PGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1008PGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1190K  jiejie micro
 jmsh1008pgq.pdf pdf_icon

JMSH1008PGQ

100V, 90A, 7.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1008PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 90 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.4 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicat

 4.1. Size:654K  jiejie micro
 jmsh1008pg.pdf pdf_icon

JMSH1008PGQ

JMSH1008PG100V 6.5mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 80 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.5 Pb-free Lead Plating

 5.1. Size:1077K  jiejie micro
 jmsh1008pc jmsh1008pe.pdf pdf_icon

JMSH1008PGQ

JMSH1008PCJMSH1008PE100V 6.3mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% R 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 113 A Pb-free Lead Plating Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS

 5.2. Size:1194K  jiejie micro
 jmsh1008pk.pdf pdf_icon

JMSH1008PGQ

100V, 56A, 6.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1008PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 56 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRF1405 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top

 


 
.