Справочник MOSFET. JMSH1008PK

 

JMSH1008PK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1008PK
   Маркировка: SH1008P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 792 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSH1008PK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1008PK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1194K  jiejie micro
jmsh1008pk.pdfpdf_icon

JMSH1008PK

100V, 56A, 6.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1008PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 56 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

 5.1. Size:654K  jiejie micro
jmsh1008pg.pdfpdf_icon

JMSH1008PK

JMSH1008PG100V 6.5mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 80 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)6.5 Pb-free Lead Plating

 5.2. Size:1077K  jiejie micro
jmsh1008pc jmsh1008pe.pdfpdf_icon

JMSH1008PK

JMSH1008PCJMSH1008PE100V 6.3mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% R 100% UIS Tested, 100% Rgg Tested Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 113 A Pb-free Lead Plating Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS

 5.3. Size:1190K  jiejie micro
jmsh1008pgq.pdfpdf_icon

JMSH1008PK

100V, 90A, 7.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1008PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 90 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.4 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicat

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.