JMSL0307AG - описание и поиск аналогов

 

JMSL0307AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JMSL0307AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 739 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0307AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0307AG даташит

 ..1. Size:294K  jiejie micro
jmsl0307ag.pdfpdf_icon

JMSL0307AG

JMSL0307AG 30V 3.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 65 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power M

 5.1. Size:281K  jiejie micro
jmsl0307av.pdfpdf_icon

JMSL0307AG

JMSL0307AV 30V 3.7m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 29 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.7 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power M

 7.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdfpdf_icon

JMSL0307AG

JMSL0302AU 30V 1.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th)_Typ 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management i

 7.2. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdfpdf_icon

JMSL0307AG

JMSL0302AG 30V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th) 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management in Computing,

Другие MOSFET... JMSH1008AG , JMSH1008AGQ , JMSH1008AKQ , JMSH1008PC , JMSH1008PE , JMSH1008PG , JMSH1008PGQ , JMSH1008PK , IRF640 , JMSL0307AV , JMSL030SAG , JMSL030SPG , JMSL030STG , JMSL0310AU , JMSL0315AG , JMSL0315AGD , JMSL0315AK .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.