Справочник MOSFET. JMSL0307AG

 

JMSL0307AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0307AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 739 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0307AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0307AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  jiejie micro
jmsl0307ag.pdfpdf_icon

JMSL0307AG

JMSL0307AG30V 3.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 65 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)5.8 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power M

 5.1. Size:281K  jiejie micro
jmsl0307av.pdfpdf_icon

JMSL0307AG

JMSL0307AV30V 3.7m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 29 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.7 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)5.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power M

 7.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdfpdf_icon

JMSL0307AG

JMSL0302AU30V 1.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)_Typ1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management i

 7.2. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdfpdf_icon

JMSL0307AG

JMSL0302AG30V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management in Computing,

Другие MOSFET... JMSH1008AG , JMSH1008AGQ , JMSH1008AKQ , JMSH1008PC , JMSH1008PE , JMSH1008PG , JMSH1008PGQ , JMSH1008PK , IRFP460 , JMSL0307AV , JMSL030SAG , JMSL030SPG , JMSL030STG , JMSL0310AU , JMSL0315AG , JMSL0315AGD , JMSL0315AK .

History: FDN361AN

 

 
Back to Top

 


 
.