Справочник MOSFET. JMSH2010BC

 

JMSH2010BC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH2010BC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 129 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 436 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JMSH2010BC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH2010BC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:375K  jiejie micro
jmsh2010bc jmsh2010be.pdfpdf_icon

JMSH2010BC

JMSH2010BCJMSH2010BE200V 9.1mN-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.3 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 129 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management

 5.1. Size:539K  jiejie micro
jmsh2010bs.pdfpdf_icon

JMSH2010BC

JMSH2010BS200V 8.8mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.3 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 130 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.8 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE,

 5.2. Size:387K  jiejie micro
jmsh2010btl.pdfpdf_icon

JMSH2010BC

JMSH2010BTL200V 8.0m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Value Unit VDS200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.3 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 118 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Compu

 6.1. Size:1343K  jiejie micro
jmsh2010pe.pdfpdf_icon

JMSH2010BC

200V, 109A, 9.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH2010PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 109 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

Другие MOSFET... JMPL1050AP , JMPL1050APD , JMPL1050AU , JMPL1050AUQ , JMPL1050AY , JMPL1050PG , JMPL1050PK , JMPL1050PU , IRF530 , JMSH2010BE , JMSH2010BS , JMSH2010BTL , JMSH2010PC , JMSH2010PCQ , JMSH2010PE , JMSH2010PS , JMSH2010PTL .

 

 
Back to Top

 


 
.