Справочник MOSFET. JMSH2010PE

 

JMSH2010PE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH2010PE
   Маркировка: SH2010P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 429 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0107 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH2010PE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH2010PE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1343K  jiejie micro
 jmsh2010pe.pdf pdf_icon

JMSH2010PE

200V, 109A, 9.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH2010PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 109 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO

 5.1. Size:1291K  jiejie micro
 jmsh2010pcq.pdf pdf_icon

JMSH2010PE

200V, 100A, 8.6m N-channel Power Strong MOSFETJMSH2010PCQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 200 V High Current Carrying Capability VGS(th)_Typ 3.0 V Fully Characterized UIS and SOAID(@VGS=10V) 100 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8.6 mW AEC-Q101 QualifiedApplication

 5.2. Size:555K  jiejie micro
 jmsh2010ptl.pdf pdf_icon

JMSH2010PE

JMSH2010PTL200V 7.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS200 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 119 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)7.2 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, I

 5.3. Size:1257K  jiejie micro
 jmsh2010pc.pdf pdf_icon

JMSH2010PE

200V, 96A, 9.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH2010PCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 200 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 96 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.