Справочник MOSFET. JMSL0301AG

 

JMSL0301AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0301AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 245 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2861 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0301AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0301AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  jiejie micro
jmsl0301ag.pdfpdf_icon

JMSL0301AG

JMSL0301AG30V 0.85m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 245 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)0.85 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Powe

 6.1. Size:1264K  jiejie micro
jmsl0301tg.pdfpdf_icon

JMSL0301AG

30V, 248A, 1.2 m N-channel Power SGT MOSFETJMSL0301TGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value UnitVDSS 30 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 1.7 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 248 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.2 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 7.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdfpdf_icon

JMSL0301AG

JMSL0302AU30V 1.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)_Typ1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management i

 7.2. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdfpdf_icon

JMSL0301AG

JMSL0302AG30V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management in Computing,

Другие MOSFET... JMSH2010BE , JMSH2010BS , JMSH2010BTL , JMSH2010PC , JMSH2010PCQ , JMSH2010PE , JMSH2010PS , JMSH2010PTL , IRFZ24N , JMSL0301TG , JMSL0302AK , JMSL0302BU , JMSL0302DG , JMSL0302PG2 , JMSL0302PU , JMPL0622AK , JMPL0625AP .

 

 
Back to Top

 


 
.