Справочник MOSFET. JMH65R980ACFP

 

JMH65R980ACFP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMH65R980ACFP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JMH65R980ACFP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R980ACFP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  jiejie micro
 jmh65r980acfp.pdf pdf_icon

JMH65R980ACFP

JMH65R980ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J

 4.1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980af.pdf pdf_icon

JMH65R980ACFP

JMH65R980AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

 4.2. Size:338K  jiejie micro
 jmh65r980akq.pdf pdf_icon

JMH65R980ACFP

JMH65R980AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

 4.3. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980apln.pdf pdf_icon

JMH65R980ACFP

JMH65R980APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)890 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMPL0648AK , JMPL0648AU , JMPL0648PKQ , JMPL1025AE , JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , IRF830 , JMH65R980AF , JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS .

History: JBE083M | STP140N6F7

 

 
Back to Top

 


 
.