JMH65R980AKQ. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: JMH65R980AKQ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JMH65R980AKQ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMH65R980AKQ даташит
jmh65r980akq.pdf
JMH65R980AKQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H
jmh65r980ak.pdf
JMH65R980AK 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 900 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H
jmh65r980af.pdf
JMH65R980AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J H
jmh65r980acfp.pdf
JMH65R980ACFP 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 0.68 J
Другие MOSFET... JMPL1025AE , JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , JMH65R980AF , JMH65R980AK , 75N75 , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS , JMSH0803MC .
History: APT5014B2VRG | 15N12 | EMF03N02HR | 2SK68A | XP161A11A1PR-G | 2SK2602 | BSC252N10NSF
History: APT5014B2VRG | 15N12 | EMF03N02HR | 2SK68A | XP161A11A1PR-G | 2SK2602 | BSC252N10NSF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet





