Справочник MOSFET. JMH65R980AKQ

 

JMH65R980AKQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMH65R980AKQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMH65R980AKQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R980AKQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  jiejie micro
 jmh65r980akq.pdf pdf_icon

JMH65R980AKQ

JMH65R980AKQ650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)820 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

 3.1. Size:338K  jiejie micro
 jmh65r980ak.pdf pdf_icon

JMH65R980AKQ

JMH65R980AK650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)900 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

 4.1. Size:323K  jiejie micro
 jmh65r980af.pdf pdf_icon

JMH65R980AKQ

JMH65R980AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J H

 4.2. Size:315K  jiejie micro
 jmh65r980acfp.pdf pdf_icon

JMH65R980AKQ

JMH65R980ACFP650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 4.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)895 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V0.68 J

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMPL1025AE , JMPL1025AK , JMH65R600MF , JMH65R600MK , JMH65R640AK , JMH65R980ACFP , JMH65R980AF , JMH65R980AK , IRF520 , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , , .

History: JMH70R430AF | LNG04R035B | ME2324D | IXTH12N70X2 | IRF7473TR | STP140N6F7 | NDS9405

 

 
Back to Top

 


 
.