JMSH0803AGS - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH0803AGS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH0803AGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 153 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1404 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0803AGS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0803AGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:557K  jiejie micro
 jmsh0803ags.pdf pdf_icon

JMSH0803AGS

JMSH0803AGS80V 3.2mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS80 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 153 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Telecom., Industrial Automa

 6.1. Size:350K  jiejie micro
 jmsh0803ngs.pdf pdf_icon

JMSH0803AGS

JMSH0803NGS80V 3.2m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS80 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 153 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Telecom., Industrial Au

 6.2. Size:1243K  jiejie micro
 jmsh0803mc.pdf pdf_icon

JMSH0803AGS

80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 165 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22

 6.3. Size:1350K  jiejie micro
 jmsh0803me.pdf pdf_icon

JMSH0803AGS

80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0803MEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 206 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMH65R980AK , JMH65R980AKQ , JMH65R980APLN , JMH70R430AF , JMH70R430AK , JBE083M , JBE083NS , JBE084M , RU7088R , JMSH0803MC , JMSH0803ME , JMSH0803MG , JMSH0803MTL , JMSH0803NGS , JMSH0803PC , JMSH0804NC , JMSH0804NE .

 

 
Back to Top

 


 
.