JMSH0803ME datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0803ME  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 268 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 206 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH0803ME

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0803ME даташит

 ..1. Size:1350K  jiejie micro
 jmsh0803me.pdf pdf_icon

JMSH0803ME

80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 206 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

 5.1. Size:1243K  jiejie micro
 jmsh0803mc.pdf pdf_icon

JMSH0803ME

80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 165 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 5.2. Size:1258K  jiejie micro
 jmsh0803mtl.pdf pdf_icon

JMSH0803ME

80V, 253A, 2.1 m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 253 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x

 5.3. Size:1291K  jiejie micro
 jmsh0803mg.pdf pdf_icon

JMSH0803ME

80V, 162A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 80 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 162 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMH65R980APLN, JMH70R430AF, JMH70R430AK, JBE083M, JBE083NS, JBE084M, JMSH0803AGS, JMSH0803MC, IRLB3034, JMSH0803MG, JMSH0803MTL, JMSH0803NGS, JMSH0803PC, JMSH0804NC, JMSH0804NE, JMSH0804NG, JMSH0804NK