JMSH0803NGS - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH0803NGS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH0803NGS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 153 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1404 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L

 Аналог (замена) для JMSH0803NGS

 

JMSH0803NGS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  jiejie micro
 jmsh0803ngs.pdf pdf_icon

JMSH0803NGS

JMSH0803NGS 80V 3.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 80 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 153 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Telecom., Industrial Au

 6.1. Size:557K  jiejie micro
 jmsh0803ags.pdf pdf_icon

JMSH0803NGS

JMSH0803AGS 80V 3.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 80 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 153 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Telecom., Industrial Automa

 6.2. Size:1243K  jiejie micro
 jmsh0803mc.pdf pdf_icon

JMSH0803NGS

80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 165 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 6.3. Size:1350K  jiejie micro
 jmsh0803me.pdf pdf_icon

JMSH0803NGS

80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 206 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JBE083M , JBE083NS , JBE084M , JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME , JMSH0803MG , JMSH0803MTL , AON7403 , JMSH0803PC , JMSH0804NC , JMSH0804NE , JMSH0804NG , JMSH0804NK , JMSH0805PC , JMSH0805PE , JMSH0805PG .

 

 
Back to Top

 


 
.