JMSH0803NGS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0803NGS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 178 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 153 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1404 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH0803NGS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0803NGS даташит

 ..1. Size:350K  jiejie micro
 jmsh0803ngs.pdf pdf_icon

JMSH0803NGS

JMSH0803NGS 80V 3.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 80 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 153 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Telecom., Industrial Au

 6.1. Size:557K  jiejie micro
 jmsh0803ags.pdf pdf_icon

JMSH0803NGS

JMSH0803AGS 80V 3.2mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 80 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 153 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.2 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Telecom., Industrial Automa

 6.2. Size:1243K  jiejie micro
 jmsh0803mc.pdf pdf_icon

JMSH0803NGS

80V, 165A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 165 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 6.3. Size:1350K  jiejie micro
 jmsh0803me.pdf pdf_icon

JMSH0803NGS

80V, 206A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0803ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 206 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JBE083M, JBE083NS, JBE084M, JMSH0803AGS, JMSH0803MC, JMSH0803ME, JMSH0803MG, JMSH0803MTL, AON7403, JMSH0803PC, JMSH0804NC, JMSH0804NE, JMSH0804NG, JMSH0804NK, JMSH0805PC, JMSH0805PE, JMSH0805PG