JMSH0804NE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JMSH0804NE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 164 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JMSH0804NE
JMSH0804NE Datasheet (PDF)
jmsh0804ne.pdf

80V, 164A, 3.3m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0804NEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.4 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 164 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSche
jmsh0804nc.pdf

80V, 148A, 3.8m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0804NCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 148 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSche
jmsh0804ng.pdf

JMSH0804NG85V 3.1m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS85 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 137 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.1 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Telecom., Industrial Aut
jmsh0804nk.pdf

JMSH0804NK85V 3.3m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS85 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robo
Другие MOSFET... JMSH0803AGS , JMSH0803MC , JMSH0803ME , JMSH0803MG , JMSH0803MTL , JMSH0803NGS , JMSH0803PC , JMSH0804NC , MMD60R360PRH , JMSH0804NG , JMSH0804NK , JMSH0805PC , JMSH0805PE , JMSH0805PG , JMSH0805PK , , .
History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04
History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117