JMSH0804NE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0804NE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 164 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 890 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH0804NE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0804NE даташит

 ..1. Size:1338K  jiejie micro
 jmsh0804ne.pdf pdf_icon

JMSH0804NE

80V, 164A, 3.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0804NE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.4 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 164 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sche

 5.1. Size:1256K  jiejie micro
 jmsh0804nc.pdf pdf_icon

JMSH0804NE

80V, 148A, 3.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0804NC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 148 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sche

 5.2. Size:349K  jiejie micro
 jmsh0804ng.pdf pdf_icon

JMSH0804NE

JMSH0804NG 85V 3.1m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 85 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 137 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.1 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Telecom., Industrial Aut

 5.3. Size:390K  jiejie micro
 jmsh0804nk.pdf pdf_icon

JMSH0804NE

JMSH0804NK 85V 3.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 85 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 3.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Robo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH0803AGS, JMSH0803MC, JMSH0803ME, JMSH0803MG, JMSH0803MTL, JMSH0803NGS, JMSH0803PC, JMSH0804NC, RU7088R, JMSH0804NG, JMSH0804NK, JMSH0805PC, JMSH0805PE, JMSH0805PG, JMSH0805PK, JMSH1552AG, JMSH1552AK