JMSH0601BGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0601BGQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 314 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1841 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH0601BGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0601BGQ даташит

 ..1. Size:412K  jiejie micro
 jmsh0601bgq.pdf pdf_icon

JMSH0601BGQ

JMSH0601BGQ 60V 1.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 314 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:399K  jiejie micro
 jmsh0601bg.pdf pdf_icon

JMSH0601BGQ

JMSH0601BG 60V 1.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 303 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.0 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE,

 6.1. Size:342K  jiejie micro
 jmsh0601ag.pdf pdf_icon

JMSH0601BGQ

JMSH0601AG 60V 1.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.4 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communic

 6.2. Size:382K  jiejie micro
 jmsh0601atlq.pdf pdf_icon

JMSH0601BGQ

JMSH0601ATLQ 60V 1.2m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Ultra low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 328 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMPC25N50BJ, JMPC25N60BJ, JMPC28N20BJ, JMSH0601AG, JMSH0601AGQ, JMSH0601ATL, JMSH0601ATLQ, JMSH0601BG, IRF530, JMSH0601PTL, JMSH0603AK, JMSH0603AKQ, JMSH0603MGQ, JMSH0603PE, JMSH0603PG, JMSH0603PGQ, JMSH0603PK