JMSH0603PGQ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH0603PGQ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 152 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1493 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSH0603PGQ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH0603PGQ даташит
jmsh0603pgq.pdf
60V, 152A, 2.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0603PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 60 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 152 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.6 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applica
jmsh0603pg.pdf
60V, 106A, 2.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0603PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 106 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN5
jmsh0603pe.pdf
60V, 184A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0603PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 184 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2
jmsh0603pk.pdf
60V, 86A, 2.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0603PK Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 86 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-252
Другие IGBT... JMSH0601BG, JMSH0601BGQ, JMSH0601PTL, JMSH0603AK, JMSH0603AKQ, JMSH0603MGQ, JMSH0603PE, JMSH0603PG, AO4407, JMSH0603PK, JMSH1504AC, JMSH1504AE, JMSH1504AE7, JMSH1504AEQ, JMSH1504AS, JMSH1504ASQ, JMSH1504ATL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor




