JMPF12N60BJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JMPF12N60BJ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMPF12N60BJ
JMPF12N60BJ Datasheet (PDF)
jmpf12n60bj.pdf

JMPF12N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 12A Load SwitchRDS(ON)
jmpf12n65bj.pdf

JMPF12N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 12A Load SwitchRDS(ON)
jmpf10n65bj.pdf

JMPF10N65BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 650V, 10A Load SwitchRDS(ON)
jmpf16n60bj.pdf

JMPF16N60BJDescriptionJMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 600V, 16A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMSH1504NE7 , JMSH1504NS , JMSH1504NTL , JMSH1505ATL , JMPE18N20BJ , JMPE34N20BJ , JMPF10N60BJ , JMPF10N65BJ , RU6888R , JMPF12N65BJ , JMPF13N50BJ , JMPF15N50BJ , JMPF16N60BJ , JMPF16N65BJ , JMPF18N50BJ , JMPK4N60BJ , JMPK4N65BJ .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1001PTL | JMSH1001NTLQ | JMSH1001NTL | JMSH1001NS | JMSH1001NE7 | JMSH1001NE | JMSH1001NC | JMSH1001MTL | JMSH1001BTL | JMSH1001ATLQ | JMSH1001ATL | JMSH1001AE7Q | JMSH1001AE7 | JMPK7N65BJ | JMPK630BJ | JMPK5N50BJ
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet