JMPF16N60BJ datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMPF16N60BJ 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 236 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: TO220F
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMPF16N60BJ
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMPF16N60BJ даташит
jmpf16n60bj.pdf
JMPF16N60BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 600V, 16A Load Switch RDS(ON)
jmpf16n65bj.pdf
JMPF16N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 16A Load Switch RDS(ON)
jmpf10n65bj.pdf
JMPF10N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 10A Load Switch RDS(ON)
jmpf12n65bj.pdf
JMPF12N65BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 650V, 12A Load Switch RDS(ON)
Другие IGBT... JMPE18N20BJ, JMPE34N20BJ, JMPF10N60BJ, JMPF10N65BJ, JMPF12N60BJ, JMPF12N65BJ, JMPF13N50BJ, JMPF15N50BJ, 7N60, JMPF16N65BJ, JMPF18N50BJ, JMPK4N60BJ, JMPK4N65BJ, JMPK5N50BJ, JMPK630BJ, JMPK7N65BJ, JMSH1001AE7
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360









