JMPK5N50BJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMPK5N50BJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.81 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMPK5N50BJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMPK5N50BJ даташит

 ..1. Size:1066K  jiejie micro
 jmpk5n50bj.pdf pdf_icon

JMPK5N50BJ

JMPK5N50BJ Description JMP N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 500V, 5A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMPF12N65BJ, JMPF13N50BJ, JMPF15N50BJ, JMPF16N60BJ, JMPF16N65BJ, JMPF18N50BJ, JMPK4N60BJ, JMPK4N65BJ, IRF9640, JMPK630BJ, JMPK7N65BJ, JMSH1001AE7, JMSH1001AE7Q, JMSH1001ATL, JMSH1001ATLQ, JMSH1001BTL, JMSH1001MTL