JMSH1001ATL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1001ATL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 411 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2091 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH1001ATL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1001ATL даташит

 ..1. Size:325K  jiejie micro
 jmsh1001atl.pdf pdf_icon

JMSH1001ATL

JMSH1001ATL 100V 1.3m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 411 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Indust

 0.1. Size:622K  jiejie micro
 jmsh1001atlq.pdf pdf_icon

JMSH1001ATL

JMSH1001ATLQ 100V 1.3mW TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 479 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.3 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicat

 5.1. Size:305K  jiejie micro
 jmsh1001ae7.pdf pdf_icon

JMSH1001ATL

JMSH1001AE7 100V 1.6m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 290 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 5.2. Size:350K  jiejie micro
 jmsh1001ae7q.pdf pdf_icon

JMSH1001ATL

JMSH1001AE7Q 100V 1.6m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 350 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMPF18N50BJ, JMPK4N60BJ, JMPK4N65BJ, JMPK5N50BJ, JMPK630BJ, JMPK7N65BJ, JMSH1001AE7, JMSH1001AE7Q, RU7088R, JMSH1001ATLQ, JMSH1001BTL, JMSH1001MTL, JMSH1001NC, JMSH1001NE, JMSH1001NE7, JMSH1001NS, JMSH1001NTL