Справочник MOSFET. JMSH1001ATL

 

JMSH1001ATL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1001ATL
   Маркировка: SH1001A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 411 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 155 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2091 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для JMSH1001ATL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1001ATL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  jiejie micro
 jmsh1001atl.pdf pdf_icon

JMSH1001ATL

JMSH1001ATL100V 1.3m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 411 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indust

 0.1. Size:622K  jiejie micro
 jmsh1001atlq.pdf pdf_icon

JMSH1001ATL

JMSH1001ATLQ100V 1.3mW TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 479 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.3 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicat

 5.1. Size:305K  jiejie micro
 jmsh1001ae7.pdf pdf_icon

JMSH1001ATL

JMSH1001AE7100V 1.6m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 290 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial

 5.2. Size:350K  jiejie micro
 jmsh1001ae7q.pdf pdf_icon

JMSH1001ATL

JMSH1001AE7Q100V 1.6m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 350 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMPF18N50BJ , JMPK4N60BJ , JMPK4N65BJ , JMPK5N50BJ , JMPK630BJ , JMPK7N65BJ , JMSH1001AE7 , JMSH1001AE7Q , MMD60R360PRH , JMSH1001ATLQ , JMSH1001BTL , JMSH1001MTL , JMSH1001NC , JMSH1001NE , JMSH1001NE7 , JMSH1001NS , JMSH1001NTL .

 

 
Back to Top

 


 
.