JMH65R110APLNFD - описание и поиск аналогов

 

JMH65R110APLNFD - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMH65R110APLNFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 93 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: DFN8080-4L
 

 Аналог (замена) для JMH65R110APLNFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R110APLNFD технические параметры

 0.1. Size:299K  jiejie micro
 jmh65r110aplnfd.pdf pdf_icon

JMH65R110APLNFD

JMH65R110APLNFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 95 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 J

 4.1. Size:358K  jiejie micro
 jmh65r110acfd jmh65r110aefd.pdf pdf_icon

JMH65R110APLNFD

JMH65R110ACFD JMH65R110AEFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 98 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V

 4.2. Size:320K  jiejie micro
 jmh65r110acfdq.pdf pdf_icon

JMH65R110APLNFD

JMH65R110ACFDQ 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Extremely Low Gate Charge Parameter Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 35 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 99 m Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 J Ha

 4.3. Size:328K  jiejie micro
 jmh65r110asfd.pdf pdf_icon

JMH65R110APLNFD

JMH65R110ASFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Extremely Low Gate Charge Value Unit VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 32 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 95 mW Pb-free Lead Plating Eoss@400V 7.8 mJ Haloge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMH65R090PFFD , JMH65R090PPLNFD , JMH65R090PSFD , JMH65R090PZFFD , JMH65R110ACFD , JMH65R110AEFD , JMH65R110ACFDQ , JMH65R110AEFDQ , 7N65 , JMH65R110ASFD , JMH65R110PCFD , JMH65R110PEFD , JMH65R110PFFD , JMH65R110PPLNFD , JMSH040SAG , JMSH040SAGQ , JMSH040SPG .

 

 
Back to Top

 


 
.