JMSH040SPG - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH040SPG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH040SPG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 152 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 324 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3910 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH040SPG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH040SPG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1281K  jiejie micro
 jmsh040spg.pdf pdf_icon

JMSH040SPG

40V, 324A, 0.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH040SPGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge ParametersValue UnitVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 324 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.7 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN5

 0.1. Size:1284K  jiejie micro
 jmsh040spgq.pdf pdf_icon

JMSH040SPG

40V, 342A, 0.7m N-channel Power SGT MOSFETJMSH040SPGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 342 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.7 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applica

 5.1. Size:632K  jiejie micro
 jmsh040sptsq.pdf pdf_icon

JMSH040SPG

40V, 430A, 0.85m N-channel Power SGT MOSFETJMSH040SPTSQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.6 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 430 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.85 m AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appl

 6.1. Size:326K  jiejie micro
 jmsh040sagq.pdf pdf_icon

JMSH040SPG

JMSH040SAGQ40V 0.56m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 400 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)0.56 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive ApplicationsPDFN5x6-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMH65R110APLNFD , JMH65R110ASFD , JMH65R110PCFD , JMH65R110PEFD , JMH65R110PFFD , JMH65R110PPLNFD , JMSH040SAG , JMSH040SAGQ , IRF1010E , JMSH040SPGQ , JMSH040SPTSQ , JMSH0702PE , JMSH0704PC , JMSH0704PE , JMSH0801PE , JMSH0801PTL , JMSH0802MC .

History: VBZMB20N65

 

 
Back to Top

 


 
.